SUP40N25-60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUP40N25-60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 220 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Encapsulados: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de SUP40N25-60 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SUP40N25-60 datasheet
sup40n25-60.pdf
SUP40N25-60 Vishay Siliconix N-Channel 250 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction Temperature RoHS 0.060 at VGS = 10 V COMPLIANT 40 New Low Thermal Resistance Package 250 95 0.064 at VGS = 6 V 38.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS TO-220AB Ind
sup40n06-25l sub40n06-25l.pdf
SUP/SUB40N06-25L Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFET, Logic Level PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.022 @ VGS = 10 V 40 60 60 0.025 @ VGS = 4.5 V 40 TO-220AB D TO-263 G DRAIN connected to TAB G D S Top View G D S SUB40N06-25L S Top View N-Channel MOSFET SUP40N06-25L ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol
sup40n10-30 sup40n10.pdf
SUP40N10-30 Vishay Siliconix N-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) Available 175 C Junction Temperature 0.030 at VGS = 10 V 40 RoHS* 100 0.034 at VGS = 6 V 37.5 COMPLIANT TO-220AB D G G D S Top View S Ordering Information SUP40N10-30 SUP40N10-30-E3 (Lead (Pb)-free) N-Channe
sup40p10-43.pdf
New Product SUP40P10-43 Vishay Siliconix P-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)c Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.043 at VGS = - 10 V - 36 - 100 54 nC 100 % Rg Tested 0.048 at VGS = - 4.5 V - 34.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS LCD Inve
Otros transistores... SUM90N10-8M2P , SUM90P10-19 , SUM90P10-19L , SUP18N15-95 , SUP25P10-138 , SUP28N15-52 , SUP36N20-54P , SUP40N10-30 , IRLB3034 , SUP40P10-43 , SUP45N03-13L , SUP50N03-5M1P , SUP50N10-21P , SUP53P06-20 , SUP57N20-33 , SUP60N02-4M5P , SUP60N06-12P .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet
