Справочник MOSFET. SUP40N25-60

 

SUP40N25-60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUP40N25-60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 220 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SUP40N25-60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  vishay
sup40n25-60.pdfpdf_icon

SUP40N25-60

SUP40N25-60Vishay SiliconixN-Channel 250 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction TemperatureRoHS0.060 at VGS = 10 V COMPLIANT 40 New Low Thermal Resistance Package250 950.064 at VGS = 6 V38.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSTO-220AB Ind

 8.1. Size:58K  vishay
sup40n06-25l sub40n06-25l.pdfpdf_icon

SUP40N25-60

SUP/SUB40N06-25LVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFET, Logic LevelPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.022 @ VGS = 10 V 4060600.025 @ VGS = 4.5 V 40TO-220ABDTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSUB40N06-25L STop ViewN-Channel MOSFETSUP40N06-25LABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol

 8.2. Size:75K  vishay
sup40n10-30 sup40n10.pdfpdf_icon

SUP40N25-60

SUP40N10-30Vishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.030 at VGS = 10 V40RoHS*1000.034 at VGS = 6 V37.5COMPLIANTTO-220AB DGG D S Top View SOrdering Information: SUP40N10-30 SUP40N10-30-E3 (Lead (Pb)-free)N-Channe

 9.1. Size:168K  vishay
sup40p10-43.pdfpdf_icon

SUP40N25-60

New ProductSUP40P10-43Vishay SiliconixP-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.043 at VGS = - 10 V - 36- 100 54 nC 100 % Rg Tested0.048 at VGS = - 4.5 V - 34.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS LCD Inve

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SSU65R600S2 | 2SK3430-ZJ | STP40N20 | R6535KNZ1 | SWB046R68E8T | PM550BA | VSE002N03MS-G

 

 
Back to Top

 


 
.