SUP50N10-21P Todos los transistores

 

SUP50N10-21P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUP50N10-21P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 227 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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SUP50N10-21P Datasheet (PDF)

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SUP50N10-21P

SUP50N10-21PVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. Qg (Typ.)ID (A) 100 % Rg and UIS Tested0.021 at VGS = 10 V Material categorization:50dFor definitions of compliance please see 100 0.023 at VGS = 8 V 30.2 nC49.7www.vishay.com/doc?999120.028 at VGS = 6 V45APPLICATIONS

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SUP50N10-21P

SUP50N03-5m1PVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0051 at VGS = 10 V50d TrenchFET Power MOSFET30 21.70.0063 at VGS = 4.5 V50d 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power Supply- Seco

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SUP50N10-21P

SUP50N03-5m1PVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0051 at VGS = 10 V50d TrenchFET Power MOSFET30 21.70.0063 at VGS = 4.5 V50d 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power Supply- Seco

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History: STP12N65M5 | PMV30ENEA | VBE1307

 

 
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