SUP50N10-21P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUP50N10-21P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 45 nC
Tiempo de subida (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 227 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.021 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUP50N10-21P
SUP50N10-21P Datasheet (PDF)
sup50n10-21p.pdf
SUP50N10-21PVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. Qg (Typ.)ID (A) 100 % Rg and UIS Tested0.021 at VGS = 10 V Material categorization:50dFor definitions of compliance please see 100 0.023 at VGS = 8 V 30.2 nC49.7www.vishay.com/doc?999120.028 at VGS = 6 V45APPLICATIONS
sup50n03.pdf
SUP50N03-5m1PVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0051 at VGS = 10 V50d TrenchFET Power MOSFET30 21.70.0063 at VGS = 4.5 V50d 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power Supply- Seco
sup50n03-5m1p.pdf
SUP50N03-5m1PVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0051 at VGS = 10 V50d TrenchFET Power MOSFET30 21.70.0063 at VGS = 4.5 V50d 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power Supply- Seco
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