SUP50N10-21P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUP50N10-21P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 227 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
Encapsulados: TO-220AB
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SUP50N10-21P datasheet
sup50n10-21p.pdf
SUP50N10-21P Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. Qg (Typ.) ID (A) 100 % Rg and UIS Tested 0.021 at VGS = 10 V Material categorization 50d For definitions of compliance please see 100 0.023 at VGS = 8 V 30.2 nC 49.7 www.vishay.com/doc?99912 0.028 at VGS = 6 V 45 APPLICATIONS
sup50n03.pdf
SUP50N03-5m1P Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0051 at VGS = 10 V 50d TrenchFET Power MOSFET 30 21.7 0.0063 at VGS = 4.5 V 50d 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Power Supply - Seco
sup50n03-5m1p.pdf
SUP50N03-5m1P Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0051 at VGS = 10 V 50d TrenchFET Power MOSFET 30 21.7 0.0063 at VGS = 4.5 V 50d 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Power Supply - Seco
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History: AOL1242
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