SUP60N10-18P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SUP60N10-18P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0183 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUP60N10-18P

SUP60N10-18P Datasheet (PDF)

..1. Size:176K vishay
sup60n10-18p.pdf

SUP60N10-18PVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0183 at VGS = 10 V60100 48 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.023 at VGS = 8.0 V53APPLICATIONS Industrial Power SupplyTO-220AB D G G D S S Top View Ordering Inf

4.1. Size:48K vishay
sup60n10-16l.pdf

SUP60N10-16LVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) 175_C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)D 175_C Junction Temperature0.016 @ VGS = 10 V 60D PWM Optimized1001000.018 @ VGS = 4.5 V 56APPLICATIONSD DC/DC Primary Side SwitchDTO-220ABGDRAIN connected to TABG D SSTop ViewN-Channel MOSFETSUP60N10-16LABS

6.1. Size:175K vishay
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8.1. Size:162K vishay
sup60n06.pdf

SUP60N06-12PVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition60 0.012 at VGS = 10 V60d 33 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSTO-220AB Synchronous Rectifier

8.2. Size:164K vishay
sup60n06-12p.pdf

8.3. Size:171K vishay
sup60n02.pdf

SUP60N02-4m5PVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)a 175 C Junction TemperatureRoHS0.0045 at VGS = 10 V60 100 % Rg Tested COMPLIANT 200.0065 at VGS = 4.5 V60 100 % UIS TestedAPPLICATIONS OR-ingTO-220ABDDRAIN connected to TABGG D STop

8.4. Size:173K vishay
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8.5. Size:100K vishay
sup60n06-18 sub60n06-18.pdf

SUP/SUB60N06-18Vishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)60 0.018 60TO-220ABDTO-263DRAIN connected to TAB GG D SG D STop ViewTop ViewSSUB60N06-18SUP60N06-18N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage VDS 60VVGate-Sourc

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: