SUP70N03-09BP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SUP70N03-09BP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 530 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUP70N03-09BP

SUP70N03-09BP Datasheet (PDF)

..1. Size:73K vishay
sup70n03-09bp sub70n03-09bp.pdf

SUP/SUB70N03-09BPNew ProductVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S), 175_C, MOSFET PWM OptimizedPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.009 @ VGS = 10 V 70a300.013 @ VGS = 4.5 V 60DTO-220ABTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSSUB70N03-09BPTop ViewN-Channel MOSFETSUP70N03-09BPABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

..2. Size:52K vishay
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3.1. Size:113K vishay
sup70n03-09p sub70n03-09p.pdf

SUP/SUB70N03-09PVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S), 175_C, MOSFET PWM OptimizedPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.009 @ VGS = 10 V "70a30300.015 @ VGS = 4.5 V "55DTO-220ABTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSSUB70N03-09Top ViewN-Channel MOSFETSUP70N03-09ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Sy

7.1. Size:94K vishay
sup70n06-14 sub70n06-14.pdf

SUP/SUB70N06-14Vishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFETPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Pb-free60 0.014 Available70aRoHS*COMPLIANTTO-220AB DTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSSUB70N06-14Top ViewN-Channel MOSFETSUP70N06-14Ordering Information: SUB70N06-14 SUB70N06-14-E3 (Lead (Pb)-free) SUP70N06-14-E3 (Lead (P

7.2. Size:71K vishay
sup70n04-10 sub70n04-10.pdf

SUP/SUB70N04-10Vishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S), 175_C MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.010 @ VGS = 10 V 70400.014 @ VGS = 4.5 V 58DTO-220ABTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSSUB70N04-10Top ViewN-Channel MOSFETSUP70N04-10ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: