SUP70N03-09BP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SUP70N03-09BP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 93 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 15.5 nC
Время нарастания (tr): 8 ns
Выходная емкость (Cd): 530 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для SUP70N03-09BP
SUP70N03-09BP Datasheet (PDF)
sup70n03-09bp sub70n03-09bp.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SUP/SUB70N03-09BPNew ProductVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S), 175_C, MOSFET PWM OptimizedPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.009 @ VGS = 10 V 70a300.013 @ VGS = 4.5 V 60DTO-220ABTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSSUB70N03-09BPTop ViewN-Channel MOSFETSUP70N03-09BPABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
sup70n03-09bp.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SUP/SUB70N03-09BPNew ProductVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S), 175_C, MOSFET PWM OptimizedPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.009 @ VGS = 10 V 70a300.013 @ VGS = 4.5 V 60DTO-220ABTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSSUB70N03-09BPTop ViewN-Channel MOSFETSUP70N03-09BPABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
sup70n03-09p sub70n03-09p.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SUP/SUB70N03-09PVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S), 175_C, MOSFET PWM OptimizedPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.009 @ VGS = 10 V "70a30300.015 @ VGS = 4.5 V "55DTO-220ABTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSSUB70N03-09Top ViewN-Channel MOSFETSUP70N03-09ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Sy
sup70n06-14 sub70n06-14.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SUP/SUB70N06-14Vishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFETPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Pb-free60 0.014 Available70aRoHS*COMPLIANTTO-220AB DTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSSUB70N06-14Top ViewN-Channel MOSFETSUP70N06-14Ordering Information: SUB70N06-14 SUB70N06-14-E3 (Lead (Pb)-free) SUP70N06-14-E3 (Lead (P
sup70n04-10 sub70n04-10.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SUP/SUB70N04-10Vishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S), 175_C MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.010 @ VGS = 10 V 70400.014 @ VGS = 4.5 V 58DTO-220ABTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSSUB70N04-10Top ViewN-Channel MOSFETSUP70N04-10ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .