SUP85N10-10P Todos los transistores

 

SUP85N10-10P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUP85N10-10P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 227 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 85 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 77 nC
   Tiempo de subida (tr): 12 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 315 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

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SUP85N10-10P Datasheet (PDF)

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SUP85N10-10PVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.010 at VGS = 10 V10085d 77 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTO-220AB APPLICATIONS IndustrialD G G D S Top View

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SUP85N10-10, SUB85N10-10Vishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature0.0105 at VGS = 10 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC10085a0.012 at VGS = 4.5 V TO-220ABD TO-263G DRAIN connected to TAB G D S Top ViewS G D S SUB

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SUP85N10-10, SUB85N10-10Vishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature0.0105 at VGS = 10 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC10085a0.012 at VGS = 4.5 V TO-220ABD TO-263G DRAIN connected to TAB G D S Top ViewS G D S SUB

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SUP/SUB85N10-10Vishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Maximum Junction Temperature0.0105 at VGS = 10 V RoHS*10085a COMPLIANT0.012 at VGS = 4.5 V TO-220ABDTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewSG D SSUB85N10-10N-Channel MOSFET

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