SUP85N10-10P - описание и поиск аналогов

 

SUP85N10-10P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SUP85N10-10P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для SUP85N10-10P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUP85N10-10P даташит

 ..1. Size:168K  vishay
sup85n10-10p.pdfpdf_icon

SUP85N10-10P

SUP85N10-10P Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.010 at VGS = 10 V 100 85d 77 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC TO-220AB APPLICATIONS Industrial D G G D S Top View

 3.1. Size:95K  vishay
sup85n10-10 sup85n10-10 sub85n10-10.pdfpdf_icon

SUP85N10-10P

SUP85N10-10, SUB85N10-10 Vishay Siliconix N-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature 0.0105 at VGS = 10 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 100 85a 0.012 at VGS = 4.5 V TO-220AB D TO-263 G DRAIN connected to TAB G D S Top View S G D S SUB

 3.2. Size:126K  vishay
sup85n10-10 sub85n10-10.pdfpdf_icon

SUP85N10-10P

SUP85N10-10, SUB85N10-10 Vishay Siliconix N-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature 0.0105 at VGS = 10 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 100 85a 0.012 at VGS = 4.5 V TO-220AB D TO-263 G DRAIN connected to TAB G D S Top View S G D S SUB

 3.3. Size:100K  vishay
sup85n10-10 sub85n10-10 2.pdfpdf_icon

SUP85N10-10P

SUP/SUB85N10-10 Vishay Siliconix N-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) rDS(on) ( ) ID (A) Available 175 C Maximum Junction Temperature 0.0105 at VGS = 10 V RoHS* 100 85a COMPLIANT 0.012 at VGS = 4.5 V TO-220AB D TO-263 G DRAIN connected to TAB G D S Top View S G D S SUB85N10-10 N-Channel MOSFET

Другие MOSFET... SUP75N03-04 , SUP75P03-07 , SUP75P05-08 , SUP85N02-03 , SUP85N03-04P , SUP85N03-3M6P , SUP85N04-03 , SUP85N10-10 , 50N06 , SUP85N15-21 , SUP90N03-03 , SUP90N04-3M3P , SUP90N06-5M0P , SUP90N06-6M0P , SUP90N08-4M8P , SUP90N08-6M8P , SUP90N08-7M7P .

History: BUK9Y7R6-40E

 

 

 

 

↑ Back to Top
.