SUP85N10-10P. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SUP85N10-10P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для SUP85N10-10P
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SUP85N10-10P даташит
sup85n10-10p.pdf
SUP85N10-10P Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.010 at VGS = 10 V 100 85d 77 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC TO-220AB APPLICATIONS Industrial D G G D S Top View
sup85n10-10 sup85n10-10 sub85n10-10.pdf
SUP85N10-10, SUB85N10-10 Vishay Siliconix N-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature 0.0105 at VGS = 10 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 100 85a 0.012 at VGS = 4.5 V TO-220AB D TO-263 G DRAIN connected to TAB G D S Top View S G D S SUB
sup85n10-10 sub85n10-10.pdf
SUP85N10-10, SUB85N10-10 Vishay Siliconix N-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature 0.0105 at VGS = 10 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 100 85a 0.012 at VGS = 4.5 V TO-220AB D TO-263 G DRAIN connected to TAB G D S Top View S G D S SUB
sup85n10-10 sub85n10-10 2.pdf
SUP/SUB85N10-10 Vishay Siliconix N-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) rDS(on) ( ) ID (A) Available 175 C Maximum Junction Temperature 0.0105 at VGS = 10 V RoHS* 100 85a COMPLIANT 0.012 at VGS = 4.5 V TO-220AB D TO-263 G DRAIN connected to TAB G D S Top View S G D S SUB85N10-10 N-Channel MOSFET
Другие MOSFET... SUP75N03-04 , SUP75P03-07 , SUP75P05-08 , SUP85N02-03 , SUP85N03-04P , SUP85N03-3M6P , SUP85N04-03 , SUP85N10-10 , 50N06 , SUP85N15-21 , SUP90N03-03 , SUP90N04-3M3P , SUP90N06-5M0P , SUP90N06-6M0P , SUP90N08-4M8P , SUP90N08-6M8P , SUP90N08-7M7P .
History: BUK9Y7R6-40E
History: BUK9Y7R6-40E
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115




