SUV85N10-10 Todos los transistores

 

SUV85N10-10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUV85N10-10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 665 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262
 

 Búsqueda de reemplazo de SUV85N10-10 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SUV85N10-10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  vishay
suv85n10-10 suv85n10.pdf pdf_icon

SUV85N10-10

SUV85N10-10New ProductVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) 175_C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)D 175_C Junction Temperature0.0105 @ VGS = 10 Va100 85 a100 85 APPLICATIONS0.012 @ VGS = 4.5 VD DC/DC Primary Side SwitchDTO-2621 2 3GG D SSTop ViewSUV85N10-10 N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Otros transistores... SUP90N08-6M8P , SUP90N08-7M7P , SUP90N08-8M2P , SUP90N10-8M8P , SUP90N15-18P , SUP90P06-09L , SUU09N10-76P , SUU10P10-195 , IRF9540 , SM1105NSK , SM1105NSUB , SM1108NSF , SM1110NSA , SM1110NSC , SM1A01NFS , SM1A01NSF , SM1A01NSFP .

History: AP4034ASGYT-HF | AP0904GMT

 

 
Back to Top

 


 
.