SM1110NSC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM1110NSC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM1110NSC

SM1110NSC Datasheet (PDF)

..1. Size:256K sino
sm1110nsc.pdf

SM1110NSC N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 100V/1.7A ,SDRDS(ON)=200m (max.) @ VGS=10VDG RDS(ON)=235m (max.) @ VGS=4.5VDD ESD ProtectedTop View of SOT-23-6 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(1,2,5,6)(RoHS Compliant)DDDDApplications(3)G Power Management in TV Inverter. DC/DC Converter.(4)SN-Channel M

6.1. Size:256K sino
sm1110nsa.pdf

SM1110NSA N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 100V/1.7A ,DRDS(ON)=200m (max.) @ VGS=10VS RDS(ON)=235m (max.) @ VGS=4.5VG ESD Protected Reliable and RuggedTop View of SOT-23-3 Lead Free and Green Devices AvailableD(RoHS Compliant)ApplicationsG Power Management in TV Inveter.SN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationSM1110NS

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History: 2SK3117

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: