SM1110NSC - описание и поиск аналогов

 

SM1110NSC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SM1110NSC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: SOT-23-6

Аналог (замена) для SM1110NSC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM1110NSC даташит

 ..1. Size:256K  sino
 sm1110nsc.pdf pdf_icon

SM1110NSC

SM1110NSC N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 100V/1.7A , S D RDS(ON)=200m (max.) @ VGS=10V D G RDS(ON)=235m (max.) @ VGS=4.5V D D ESD Protected Top View of SOT-23-6 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (1,2,5,6) (RoHS Compliant) DDDD Applications (3)G Power Management in TV Inverter. DC/DC Converter. (4)S N-Channel M

 6.1. Size:256K  sino
 sm1110nsa.pdf pdf_icon

SM1110NSC

SM1110NSA N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 100V/1.7A , D RDS(ON)=200m (max.) @ VGS=10V S RDS(ON)=235m (max.) @ VGS=4.5V G ESD Protected Reliable and Rugged Top View of SOT-23-3 Lead Free and Green Devices Available D (RoHS Compliant) Applications G Power Management in TV Inveter. S N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information SM1110NS

Другие IGBT... SUP90P06-09L, SUU09N10-76P, SUU10P10-195, SUV85N10-10, SM1105NSK, SM1105NSUB, SM1108NSF, SM1110NSA, IRF630, SM1A01NFS, SM1A01NSF, SM1A01NSFP, SM1A01NSU, SM1A10NSU, SM1A12DSK, SM1A13NSK, SM1A15NSF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.