SM1110NSC - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SM1110NSC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: SOT-23-6
Аналог (замена) для SM1110NSC
SM1110NSC Datasheet (PDF)
sm1110nsc.pdf
SM1110NSC N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 100V/1.7A ,SDRDS(ON)=200m (max.) @ VGS=10VDG RDS(ON)=235m (max.) @ VGS=4.5VDD ESD ProtectedTop View of SOT-23-6 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(1,2,5,6)(RoHS Compliant)DDDDApplications(3)G Power Management in TV Inverter. DC/DC Converter.(4)SN-Channel M
sm1110nsa.pdf
SM1110NSA N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 100V/1.7A ,DRDS(ON)=200m (max.) @ VGS=10VS RDS(ON)=235m (max.) @ VGS=4.5VG ESD Protected Reliable and RuggedTop View of SOT-23-3 Lead Free and Green Devices AvailableD(RoHS Compliant)ApplicationsG Power Management in TV Inveter.SN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationSM1110NS
Другие MOSFET... SUP90P06-09L , SUU09N10-76P , SUU10P10-195 , SUV85N10-10 , SM1105NSK , SM1105NSUB , SM1108NSF , SM1110NSA , IRF630 , SM1A01NFS , SM1A01NSF , SM1A01NSFP , SM1A01NSU , SM1A10NSU , SM1A12DSK , SM1A13NSK , SM1A15NSF .
History: BSC0902NSI | 2SK762
History: BSC0902NSI | 2SK762
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
oc44 transistor datasheet | 2sa1210 | 2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a | c3856



