MMF50R280PTH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MMF50R280PTH
Código: 50R280P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 32 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 28.6 nC
Tiempo de subida (tr): 45 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 500 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.28 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MMF50R280PTH
MMF50R280PTH Datasheet (PDF)
mmf50r280pth.pdf
MMF50R280P Datasheet MMF50R280P 500V 0.28 N-channel MOSFET Description MMF50R280P is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as l
mmf50r280pth.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor MMF50R280PTHFEATURESDrain Current : I = 13A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.28(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand so
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