MMF50R280PTH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMF50R280PTH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для MMF50R280PTH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMF50R280PTH даташит

 ..1. Size:1043K  magnachip
 mmf50r280pth.pdf pdf_icon

MMF50R280PTH

MMF50R280P Datasheet MMF50R280P 500V 0.28 N-channel MOSFET Description MMF50R280P is power MOSFET using magnachip s advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as l

 ..2. Size:279K  inchange semiconductor
 mmf50r280pth.pdf pdf_icon

MMF50R280PTH

isc N-Channel MOSFET Transistor MMF50R280PTH FEATURES Drain Current I = 13A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.28 (Max) @V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and so

Другие IGBT... MMD70R750PRH, MMD70R900PRH, MMD80R900PRH, MMDF1N05ER2G, MMDF3N02HDR2, MMDF3N02HDR2G, MME60R290PRH, MME70R380PRH, STP65NF06, MMF60R115PTH, MMF60R190PTH, MMF60R290PTH, MMF60R360PTH, MMF60R580PTH, MMF60R750PTH, MMF65R190PTH, MMF70R600PTH