MMF50R280PTH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MMF50R280PTH
Маркировка: 50R280P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 32 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 28.6 nC
Время нарастания (tr): 45 ns
Выходная емкость (Cd): 500 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.28 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для MMF50R280PTH
MMF50R280PTH Datasheet (PDF)
mmf50r280pth.pdf
MMF50R280P Datasheet MMF50R280P 500V 0.28 N-channel MOSFET Description MMF50R280P is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as l
mmf50r280pth.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor MMF50R280PTHFEATURESDrain Current : I = 13A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.28(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand so
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
