MMFT5P03HDT1 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

MMFT5P03HDT1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMFT5P03HDT1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.13 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SOT-223

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MMFT5P03HDT1 datasheet

..1. Size:234K onsemi
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MMFT5P03HD Preferred Device Power MOSFET 5 Amps, 30 Volts P-Channel SOT-223 This miniature surface mount MOSFET features ultra low RDS(on) and true logic level performance. It is capable of withstanding high http //onsemi.com energy in the avalanche and commutation modes and the drain-to-source diode has a very low reverse recovery time. 5 AMPERES MMFT5P03HD devices are designed for

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MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMFT5P03HD/D Designer's Data Sheet MMFT5P03HD Medium Power Surface Mount Products Motorola Preferred Device TMOS P-Channel Field Effect Transistor TMOS MEDIUM POWER FET MMFT5P03HD is an advanced power MOSFET which utilizes Motorola s High Cell Density HDTMOS process. This miniature 5.2 AMPERES surface mount MOSFET f

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