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MMFT5P03HDT1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMFT5P03HDT1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.13 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
 

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MMFT5P03HDT1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  onsemi
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MMFT5P03HDT1

MMFT5P03HDPreferred DevicePower MOSFET5 Amps, 30 VoltsP-Channel SOT-223This miniature surface mount MOSFET features ultra low RDS(on)and true logic level performance. It is capable of withstanding highhttp://onsemi.comenergy in the avalanche and commutation modes and thedrain-to-source diode has a very low reverse recovery time.5 AMPERESMMFT5P03HD devices are designed for

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MMFT5P03HDT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMFT5P03HD/DDesigner's Data SheetMMFT5P03HDMedium Power Surface Mount ProductsMotorola Preferred DeviceTMOS P-ChannelField Effect TransistorTMOS MEDIUMPOWER FETMMFT5P03HD is an advanced power MOSFET which utilizesMotorolas High Cell Density HDTMOS process. This miniature 5.2 AMPERESsurface mount MOSFET f

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MMFT5P03HDT1

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History: DH033N04E | TK14C65W5

 

 
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