MMFT5P03HDT1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MMFT5P03HDT1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.13 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MMFT5P03HDT1

MMFT5P03HDT1 Datasheet (PDF)

..1. Size:234K onsemi
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MMFT5P03HDPreferred DevicePower MOSFET5 Amps, 30 VoltsP-Channel SOT-223This miniature surface mount MOSFET features ultra low RDS(on)and true logic level performance. It is capable of withstanding highhttp://onsemi.comenergy in the avalanche and commutation modes and thedrain-to-source diode has a very low reverse recovery time.5 AMPERESMMFT5P03HD devices are designed for

4.1. Size:203K motorola
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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMFT5P03HD/DDesigner's Data SheetMMFT5P03HDMedium Power Surface Mount ProductsMotorola Preferred DeviceTMOS P-ChannelField Effect TransistorTMOS MEDIUMPOWER FETMMFT5P03HD is an advanced power MOSFET which utilizesMotorolas High Cell Density HDTMOS process. This miniature 5.2 AMPERESsurface mount MOSFET f

4.2. Size:198K motorola
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