MMFT70R380PTH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMFT70R380PTH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 823 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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MMFT70R380PTH datasheet

 ..1. Size:1261K  magnachip
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MMFT70R380PTH

MMFT70R380P Datasheet MMFT70R380P 700V 0.38 N-channel MOSFET Description MMFT70R380P is power MOSFET using magnachip s advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well a

 ..2. Size:200K  inchange semiconductor
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MMFT70R380PTH

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor MMFT70R380PTH FEATURES With TO-220F packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a S

Otros transistores... MMFT5P03HDT1, MMFT60R115PCTH, MMFT60R195PTH, MMFT60R290PCTH, MMFT60R290PTH, MMFT60R380PCTH, MMFT60R380PTH, MMFT65R195PTH, 20N60, MMFTP84, MMIS60R580PTH, MMIS60R750PTH, MMIS60R900PTH, MMIS70H900QTH, MMIS70R1K4PTH, MMIS70R900PTH, MMIX1F132N50P3