MMFT70R380PTH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MMFT70R380PTH
Código: T70R380P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 32.4 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 700 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 11 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 34 nC
Tiempo de subida (tr): 38 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 823 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.38 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MMFT70R380PTH
MMFT70R380PTH Datasheet (PDF)
mmft70r380pth.pdf
MMFT70R380P Datasheet MMFT70R380P 700V 0.38 N-channel MOSFET Description MMFT70R380P is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well a
mmft70r380pth.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor MMFT70R380PTHFEATURESWith TO-220F packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aS
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: LSD60R380HT | LSD60R099HT