MMFT70R380PTH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MMFT70R380PTH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 823 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MMFT70R380PTH

MMFT70R380PTH Datasheet (PDF)

..1. Size:1261K magnachip
mmft70r380pth.pdf

MMFT70R380P Datasheet MMFT70R380P 700V 0.38 N-channel MOSFET Description MMFT70R380P is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well a

..2. Size:200K inchange semiconductor
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INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor MMFT70R380PTHFEATURESWith TO-220F packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aS

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Liste

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