MMFT70R380PTH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMFT70R380PTH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 823 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для MMFT70R380PTH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMFT70R380PTH даташит

 ..1. Size:1261K  magnachip
 mmft70r380pth.pdf pdf_icon

MMFT70R380PTH

MMFT70R380P Datasheet MMFT70R380P 700V 0.38 N-channel MOSFET Description MMFT70R380P is power MOSFET using magnachip s advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well a

 ..2. Size:200K  inchange semiconductor
 mmft70r380pth.pdf pdf_icon

MMFT70R380PTH

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor MMFT70R380PTH FEATURES With TO-220F packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a S

Другие IGBT... MMFT5P03HDT1, MMFT60R115PCTH, MMFT60R195PTH, MMFT60R290PCTH, MMFT60R290PTH, MMFT60R380PCTH, MMFT60R380PTH, MMFT65R195PTH, 20N60, MMFTP84, MMIS60R580PTH, MMIS60R750PTH, MMIS60R900PTH, MMIS70H900QTH, MMIS70R1K4PTH, MMIS70R900PTH, MMIX1F132N50P3