MMN2302 Todos los transistores

 

MMN2302 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMN2302
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.25 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2.8 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.2 V
   Carga de la puerta (Qg): 4.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 3.48 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 86.81 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

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MMN2302 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:147K  m-mos
mmn2302.pdf

MMN2302
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MMN2302Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20VRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@2.8A = 60mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@2.0A = 115mRDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2.0A = 130mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT -23 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top View N-C

 9.1. Size:147K  m-mos
mmn2312.pdf

MMN2302
MMN2302

MMN2312Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20VRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A = 31mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4.5A = 37mRDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@4.0A = 47mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT -23 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top View N-Cha

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