MMN3205 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMN3205

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.64 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 342.47 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO-220

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MMN3205 datasheet

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MMN3205

MMN3205 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 55V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 55V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@62A = 8m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Fully Characterized Avalanche Voltage and Current TO-220 Internal Schematic Diagram Drain Gate Source

 9.1. Size:132K  m-mos
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MMN3205

MMN3220 Package Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A = 32m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4.5A = 40m RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@4.0A = 55m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT -23 Internal Schematic Diagram Drain Gate Source Top Vi

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