Справочник MOSFET. MMN3205

 

MMN3205 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMN3205
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 342.47 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MMN3205

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN3205 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:146K  m-mos
 mmn3205.pdf pdf_icon

MMN3205

MMN3205Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited55V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 55VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@62A = 8mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceHigh Power and Current handing capabilityFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentTO-220 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source

 9.1. Size:132K  m-mos
 mmn3220.pdf pdf_icon

MMN3205

MMN3220Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20VRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A = 32mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4.5A = 40mRDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@4.0A = 55mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT -23 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top Vi

Другие MOSFET... MMIX1F420N10T , MMIX1F44N100Q3 , MML60R190PTH , MML60R290PTH , MML65R190PTH , MMN2302 , MMN2312 , MMN25N03 , 7N65 , MMN3220 , MMN3400 , MMN35N03 , MMN404 , MMN4307 , MMN4326 , MMN4336 , MMN4338 .

History: LSGC03R020 | GP2M002A065XX | MPSP60M600

 

 
Back to Top

 


 
.