MMN3205. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMN3205

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.64 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 342.47 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для MMN3205

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN3205 даташит

 ..1. Size:146K  m-mos
 mmn3205.pdf pdf_icon

MMN3205

MMN3205 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 55V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 55V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@62A = 8m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Fully Characterized Avalanche Voltage and Current TO-220 Internal Schematic Diagram Drain Gate Source

 9.1. Size:132K  m-mos
 mmn3220.pdf pdf_icon

MMN3205

MMN3220 Package Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A = 32m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4.5A = 40m RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@4.0A = 55m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT -23 Internal Schematic Diagram Drain Gate Source Top Vi

Другие IGBT... MMIX1F420N10T, MMIX1F44N100Q3, MML60R190PTH, MML60R290PTH, MML65R190PTH, MMN2302, MMN2312, MMN25N03, IRF630, MMN3220, MMN3400, MMN35N03, MMN404, MMN4307, MMN4326, MMN4336, MMN4338