MMN3220 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMN3220

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13.86 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59.9 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm

Encapsulados: SOT-23

 Búsqueda de reemplazo de MMN3220 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MMN3220 datasheet

 ..1. Size:132K  m-mos
 mmn3220.pdf pdf_icon

MMN3220

MMN3220 Package Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A = 32m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4.5A = 40m RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@4.0A = 55m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT -23 Internal Schematic Diagram Drain Gate Source Top Vi

 9.1. Size:146K  m-mos
 mmn3205.pdf pdf_icon

MMN3220

MMN3205 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 55V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 55V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@62A = 8m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Fully Characterized Avalanche Voltage and Current TO-220 Internal Schematic Diagram Drain Gate Source

Otros transistores... MMIX1F44N100Q3, MML60R190PTH, MML60R290PTH, MML65R190PTH, MMN2302, MMN2312, MMN25N03, MMN3205, IRF9540, MMN3400, MMN35N03, MMN404, MMN4307, MMN4326, MMN4336, MMN4338, MMN4364DY