MMN3220 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MMN3220
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13.86 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59.9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MMN3220

MMN3220 Datasheet (PDF)

..1. Size:132K m-mos
mmn3220.pdf

MMN3220Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20VRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A = 32mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4.5A = 40mRDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@4.0A = 55mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT -23 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top Vi

9.1. Size:146K m-mos
mmn3205.pdf

MMN3205Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited55V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 55VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@62A = 8mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceHigh Power and Current handing capabilityFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentTO-220 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source

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Liste

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