MMN8818N Todos los transistores

 

MMN8818N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMN8818N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 85.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 96.35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

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MMN8818N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:161K  m-mos
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MMN8818N

MMN8818NPackage Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30V ID= 7A ESD Protected Gate: 2000VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@7A = 18mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5A = 20mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4A = 27mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceHigh Power and Current handing cap

 7.1. Size:204K  m-mos
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MMN8818N

MMN8818EData SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30V ID= 7A ESD Protected Geat: 2000VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@7A = 18mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5A = 20mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4A = 27mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceHigh Power and Current handing capability

 9.1. Size:204K  m-mos
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MMN8818N

MMN8804Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20V ID= 8A ESD Protected Gate: 2000VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@8A = 13mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5A = 14mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4A = 19mRDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@3A = 27mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceHigh Po

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MMN8818N

MMN8822Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@7A = 21mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.6A = 24mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.5A = 32mRDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2A = 50mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceIdeal for Li ion battery pack application

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History: CSY140 | STS3419 | SI2301-TP | TSM2311CX | NTLUS3A40PZ | P2803BMG | AM2390N

 

 
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