MMN8818N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMN8818N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 85.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 96.35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

Аналог (замена) для MMN8818N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN8818N даташит

 ..1. Size:161K  m-mos
 mmn8818n.pdf pdf_icon

MMN8818N

MMN8818N Package Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 30V ID= 7A ESD Protected Gate 2000V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@7A = 18m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5A = 20m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4A = 27m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing cap

 7.1. Size:204K  m-mos
 mmn8818e.pdf pdf_icon

MMN8818N

MMN8818E Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 30V ID= 7A ESD Protected Geat 2000V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@7A = 18m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5A = 20m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4A = 27m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability

 9.1. Size:204K  m-mos
 mmn8804.pdf pdf_icon

MMN8818N

MMN8804 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V ID= 8A ESD Protected Gate 2000V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@8A = 13m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5A = 14m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4A = 19m RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@3A = 27m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Po

 9.2. Size:154K  m-mos
 mmn8822.pdf pdf_icon

MMN8818N

MMN8822 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@7A = 21m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.6A = 24m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.5A = 32m RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2A = 50m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Ideal for Li ion battery pack application

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MMN7230, MMN7402, MMN75N03, MMN8205, MMN8218, MMN8220, MMN8804, MMN8818E, IRF1407, MMN8822, MMN9926, MMN9926BDY, MMN9926E, MMP2301, MMP2311, MMP2323, MMP3401