MMN9926 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MMN9926
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.86 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120.89 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8 TSSOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MMN9926

MMN9926 Datasheet (PDF)

..1. Size:205K m-mos
mmn9926.pdf

MMN9926Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20VRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6A = 30mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.2A = 40mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceHigh Power and Current handing capabilityIdeal for Li ion battery pack applicationsTSSOP-08 SO-8 Internal Sche

0.1. Size:201K m-mos
mmn9926e.pdf

MMN9926EData SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20V ID= 8A ESD Protected Gate: 2000VRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@8A = 21mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@7A = 25mRDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@6A = 33mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSpecially Designed for Li ion battery pac

0.2. Size:203K m-mos
mmn9926bdy.pdf

MMN9926BDYPreliminary Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20VRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@8.2A = 20mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.3A = 30mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceHigh Power and Current handing capabilityIdeal for Li ion battery pack applicationsTSSOP-08 S

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