MMN9926 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MMN9926
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120.89 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8 TSSOP-8
- Selección de transistores por parámetros
MMN9926 Datasheet (PDF)
mmn9926.pdf

MMN9926Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20VRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6A = 30mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.2A = 40mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceHigh Power and Current handing capabilityIdeal for Li ion battery pack applicationsTSSOP-08 SO-8 Internal Sche
mmn9926e.pdf

MMN9926EData SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20V ID= 8A ESD Protected Gate: 2000VRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@8A = 21mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@7A = 25mRDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@6A = 33mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSpecially Designed for Li ion battery pac
mmn9926bdy.pdf

MMN9926BDYPreliminary Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20VRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@8.2A = 20mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.3A = 30mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceHigh Power and Current handing capabilityIdeal for Li ion battery pack applicationsTSSOP-08 S
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: 2SK957-01 | BUZ71 | CS15N70F | 2SK1601 | NTD3055-094-1G | SRC7N65DTR | IRFZ24L
History: 2SK957-01 | BUZ71 | CS15N70F | 2SK1601 | NTD3055-094-1G | SRC7N65DTR | IRFZ24L



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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