Справочник MOSFET. MMN9926

 

MMN9926 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MMN9926
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.86 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120.89 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SO-8 TSSOP-8

 Аналог (замена) для MMN9926

 

 

MMN9926 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  m-mos
 mmn9926.pdf

MMN9926 MMN9926

MMN9926Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20VRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6A = 30mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.2A = 40mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceHigh Power and Current handing capabilityIdeal for Li ion battery pack applicationsTSSOP-08 SO-8 Internal Sche

 0.1. Size:201K  m-mos
 mmn9926e.pdf

MMN9926 MMN9926

MMN9926EData SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20V ID= 8A ESD Protected Gate: 2000VRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@8A = 21mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@7A = 25mRDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@6A = 33mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSpecially Designed for Li ion battery pac

 0.2. Size:203K  m-mos
 mmn9926bdy.pdf

MMN9926 MMN9926

MMN9926BDYPreliminary Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20VRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@8.2A = 20mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.3A = 30mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceHigh Power and Current handing capabilityIdeal for Li ion battery pack applicationsTSSOP-08 S

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top