MMP2301 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MMP2301
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.9 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.18 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106.15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MMP2301

MMP2301 Datasheet (PDF)

..1. Size:152K m-mos
mmp2301.pdf

MMP2301Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -20VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A = 100mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A = 150mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2.0A = 170mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT- 23 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETM

9.1. Size:161K m-mos
mmp2311.pdf

MMP2311Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited12V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -12VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-3.5A = 58mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-3.0A = 72mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-0.7A = 120mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT-23 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaxi

9.2. Size:166K m-mos
mmp2323.pdf

MMP2323Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -20VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.7A = 39mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-4.1A = 52mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2.0A = 68mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceImproved Shoot-Through FOMSOT-23 Internal Schematic DiagramTop

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: