MMP2323 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMP2323

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.04 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 178.42 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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MMP2323 datasheet

 ..1. Size:166K  m-mos
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MMP2323

MMP2323 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -20V RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.7A = 39m RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-4.1A = 52m RDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2.0A = 68m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Improved Shoot-Through FOM SOT-23 Internal Schematic Diagram Top

 9.1. Size:152K  m-mos
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MMP2323

MMP2301 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -20V RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A = 100m RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A = 150m RDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2.0A = 170m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT- 23 Internal Schematic Diagram Top View P-Channel MOSFET M

 9.2. Size:161K  m-mos
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MMP2323

MMP2311 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 12V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -12V RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-3.5A = 58m RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-3.0A = 72m RDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-0.7A = 120m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT-23 Internal Schematic Diagram Top View P-Channel MOSFET Maxi

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