MMP2323 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MMP2323
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4.7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 19.1 nC
Tiempo de subida (tr): 9.04 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 178.42 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.039 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MMP2323
MMP2323 Datasheet (PDF)
mmp2323.pdf
MMP2323Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -20VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.7A = 39mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-4.1A = 52mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2.0A = 68mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceImproved Shoot-Through FOMSOT-23 Internal Schematic DiagramTop
mmp2301.pdf
MMP2301Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -20VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A = 100mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A = 150mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2.0A = 170mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT- 23 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETM
mmp2311.pdf
MMP2311Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited12V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -12VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-3.5A = 58mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-3.0A = 72mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-0.7A = 120mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT-23 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaxi
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