MMP2323 Todos los transistores

 

MMP2323 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMP2323
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.04 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 178.42 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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MMP2323 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  m-mos
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MMP2323

MMP2323Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -20VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.7A = 39mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-4.1A = 52mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2.0A = 68mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceImproved Shoot-Through FOMSOT-23 Internal Schematic DiagramTop

 9.1. Size:152K  m-mos
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MMP2323

MMP2301Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -20VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A = 100mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A = 150mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2.0A = 170mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT- 23 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETM

 9.2. Size:161K  m-mos
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MMP2323

MMP2311Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited12V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -12VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-3.5A = 58mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-3.0A = 72mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-0.7A = 120mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT-23 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaxi

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History: 2SK2445 | GP1T080A120B

 

 
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