MMP3415E Todos los transistores

 

MMP3415E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMP3415E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1480 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 287 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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MMP3415E Datasheet (PDF)

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MMP3415E

MMP3415EData SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -20V ID= -4A ESD Protected Gate : 3000VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4A = 55mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-4A = 63mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2A = 73mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT-23 Internal Schematic DiagramTo

 9.1. Size:199K  m-mos
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MMP3415E

MMP3443Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -20VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.7A = 60mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A = 100mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceTSOP-06 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaximum Ratings and Thermal Characteristics

 9.2. Size:147K  m-mos
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MMP3415E

MMP3401Package Level Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -30VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.0A = 75mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A = 120mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT -23 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaximum Ratings and Thermal C

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History: UF1404 | 4N80L-TND-R

 

 
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