MMP3415E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMP3415E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1480 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 287 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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MMP3415E datasheet

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MMP3415E

MMP3415E Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -20V ID= -4A ESD Protected Gate 3000V RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4A = 55m RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-4A = 63m RDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2A = 73m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT-23 Internal Schematic Diagram To

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MMP3415E

MMP3443 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -20V RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.7A = 60m RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A = 100m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance TSOP-06 Internal Schematic Diagram Top View P-Channel MOSFET Maximum Ratings and Thermal Characteristics

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MMP3415E

MMP3401 Package Level Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.0A = 75m RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A = 120m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT -23 Internal Schematic Diagram Top View P-Channel MOSFET Maximum Ratings and Thermal C

Otros transistores... MMN8822, MMN9926, MMN9926BDY, MMN9926E, MMP2301, MMP2311, MMP2323, MMP3401, IRF520, MMP3443, MMP4353, MMP4357, MMP4383, MMP4399, MMP4407, MMP4411, MMP4411DY