MMP3415E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MMP3415E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.4 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 10.7 nC
Tiempo de subida (tr): 1480 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 287 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.055 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MMP3415E
MMP3415E Datasheet (PDF)
mmp3415e.pdf
MMP3415EData SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -20V ID= -4A ESD Protected Gate : 3000VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4A = 55mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-4A = 63mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2A = 73mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT-23 Internal Schematic DiagramTo
mmp3443.pdf
MMP3443Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -20VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.7A = 60mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A = 100mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceTSOP-06 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaximum Ratings and Thermal Characteristics
mmp3401.pdf
MMP3401Package Level Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -30VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.0A = 75mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A = 120mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT -23 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaximum Ratings and Thermal C
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History: IRLML6402TRPBF
