MMP3443 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MMP3443
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.92 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5.28 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MMP3443

MMP3443 Datasheet (PDF)

..1. Size:199K m-mos
mmp3443.pdf

MMP3443Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -20VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.7A = 60mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A = 100mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceTSOP-06 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaximum Ratings and Thermal Characteristics

9.1. Size:147K m-mos
mmp3401.pdf

MMP3401Package Level Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -30VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.0A = 75mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A = 120mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT -23 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaximum Ratings and Thermal C

9.2. Size:171K m-mos
mmp3415e.pdf

MMP3415EData SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -20V ID= -4A ESD Protected Gate : 3000VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4A = 55mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-4A = 63mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2A = 73mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT-23 Internal Schematic DiagramTo

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