MMP65R190PTH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMP65R190PTH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 154 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1425 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: TO-220

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MMP65R190PTH datasheet

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MMP65R190PTH

MMP65R190P Datasheet MMP65R190P 650V 0.19 N-channel MOSFET Description MMP65R190P is power MOSFET using magnachip s advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as l

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