MMP65R190PTH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MMP65R190PTH
Código: 65R190P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 154 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 53 nC
Tiempo de subida (tr): 75 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1425 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.19 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
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MMP65R190PTH Datasheet (PDF)
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MMP65R190P Datasheet MMP65R190P 650V 0.19 N-channel MOSFET Description MMP65R190P is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as l
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