Справочник MOSFET. MMP65R190PTH

 

MMP65R190PTH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MMP65R190PTH
   Маркировка: 65R190P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 154 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 53 nC
   trⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1425 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для MMP65R190PTH

 

 

MMP65R190PTH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1350K  magnachip
 mmp65r190pth.pdf

MMP65R190PTH MMP65R190PTH

MMP65R190P Datasheet MMP65R190P 650V 0.19 N-channel MOSFET Description MMP65R190P is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as l

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTD20P06LT4G | STD7N60M2 | AO4606A | MSU18N40 | CED83A3G

 

 
Back to Top