MMP7245 Todos los transistores

 

MMP7245 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMP7245
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 83 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

 Búsqueda de reemplazo de MMP7245 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MMP7245 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  m-mos
 mmp7245.pdf pdf_icon

MMP7245

MMP7245Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -20VRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2.0A = 130mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A = 100mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A = 70mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT- 23 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MO

 9.1. Size:217K  m-mos
 mmp7277.pdf pdf_icon

MMP7245

MMP7277Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -20VRDS(ON), Vgs@-1.5V, Ids@-0.2A = 350mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2.0A = 220mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A = 170mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A = 135mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT- 23 Interna

Otros transistores... MMP60R580PTH , MMP60R750PTH , MMP6463 , MMP6465 , MMP65R190PTH , MMP6965 , MMP6967 , MMP6975 , AO4468 , MMP7277 , MMP7401 , MMP9435 , MMP9435BDY , MMP9567 , MMQ60R070PTH , MMQ60R115PCTH , MMQ60R115PTH .

History: WMO05N80M3 | WMS13N03T1 | WSD2012DN25 | NCE40H20A | FQA17N40 | STH110N10F7-2 | RFD10P03LSM

 

 
Back to Top

 


 
.