MMP7245 Todos los transistores

 

MMP7245 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMP7245
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 83 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
     - Selección de transistores por parámetros

 

MMP7245 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  m-mos
 mmp7245.pdf pdf_icon

MMP7245

MMP7245Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -20VRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2.0A = 130mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A = 100mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A = 70mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT- 23 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MO

 9.1. Size:217K  m-mos
 mmp7277.pdf pdf_icon

MMP7245

MMP7277Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -20VRDS(ON), Vgs@-1.5V, Ids@-0.2A = 350mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2.0A = 220mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A = 170mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A = 135mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT- 23 Interna

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: CP650 | WM02N08L | SWF2N70D | HGN035N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.