MMP7245 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MMP7245
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 83 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MMP7245

MMP7245 Datasheet (PDF)

..1. Size:154K m-mos
mmp7245.pdf

MMP7245Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -20VRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2.0A = 130mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A = 100mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A = 70mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT- 23 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MO

9.1. Size:217K m-mos
mmp7277.pdf

MMP7277Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -20VRDS(ON), Vgs@-1.5V, Ids@-0.2A = 350mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2.0A = 220mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A = 170mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A = 135mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT- 23 Interna

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Liste

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