Справочник MOSFET. MMP7245

 

MMP7245 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMP7245
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 7.3 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для MMP7245

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMP7245 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  m-mos
 mmp7245.pdf pdf_icon

MMP7245

MMP7245Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -20VRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2.0A = 130mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A = 100mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A = 70mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT- 23 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MO

 9.1. Size:217K  m-mos
 mmp7277.pdf pdf_icon

MMP7245

MMP7277Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -20VRDS(ON), Vgs@-1.5V, Ids@-0.2A = 350mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2.0A = 220mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A = 170mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A = 135mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT- 23 Interna

Другие MOSFET... MMP60R580PTH , MMP60R750PTH , MMP6463 , MMP6465 , MMP65R190PTH , MMP6965 , MMP6967 , MMP6975 , AO4468 , MMP7277 , MMP7401 , MMP9435 , MMP9435BDY , MMP9567 , MMQ60R070PTH , MMQ60R115PCTH , MMQ60R115PTH .

 

 
Back to Top

 


 
.