MMP7245 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MMP7245
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 7.3 nC
Время нарастания (tr): 2.9 ns
Выходная емкость (Cd): 83 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.07 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
MMP7245 Datasheet (PDF)
mmp7245.pdf
MMP7245Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -20VRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2.0A = 130mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A = 100mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A = 70mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT- 23 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MO
mmp7277.pdf
MMP7277Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -20VRDS(ON), Vgs@-1.5V, Ids@-0.2A = 350mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2.0A = 220mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A = 170mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A = 135mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT- 23 Interna
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
