MMP7245. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMP7245

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для MMP7245

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMP7245 даташит

 ..1. Size:154K  m-mos
 mmp7245.pdf pdf_icon

MMP7245

MMP7245 Package Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -20V RDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2.0A = 130m RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A = 100m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A = 70m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT- 23 Internal Schematic Diagram Top View P-Channel MO

 9.1. Size:217K  m-mos
 mmp7277.pdf pdf_icon

MMP7245

MMP7277 Package Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -20V RDS(ON), Vgs@-1.5V, Ids@-0.2A = 350m RDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2.0A = 220m RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A = 170m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A = 135m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT- 23 Interna

Другие IGBT... MMP60R580PTH, MMP60R750PTH, MMP6463, MMP6465, MMP65R190PTH, MMP6965, MMP6967, MMP6975, 60N06, MMP7277, MMP7401, MMP9435, MMP9435BDY, MMP9567, MMQ60R070PTH, MMQ60R115PCTH, MMQ60R115PTH