MMP7277 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMP7277

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.76 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 71 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm

Encapsulados: SOT-23

 Búsqueda de reemplazo de MMP7277 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MMP7277 datasheet

 ..1. Size:217K  m-mos
 mmp7277.pdf pdf_icon

MMP7277

MMP7277 Package Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -20V RDS(ON), Vgs@-1.5V, Ids@-0.2A = 350m RDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2.0A = 220m RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A = 170m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A = 135m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT- 23 Interna

 9.1. Size:154K  m-mos
 mmp7245.pdf pdf_icon

MMP7277

MMP7245 Package Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -20V RDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2.0A = 130m RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A = 100m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A = 70m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT- 23 Internal Schematic Diagram Top View P-Channel MO

Otros transistores... MMP60R750PTH, MMP6463, MMP6465, MMP65R190PTH, MMP6965, MMP6967, MMP6975, MMP7245, IRFP064N, MMP7401, MMP9435, MMP9435BDY, MMP9567, MMQ60R070PTH, MMQ60R115PCTH, MMQ60R115PTH, MMQ60R190PTH