Справочник MOSFET. MMP7277

 

MMP7277 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MMP7277
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.76 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 71 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для MMP7277

 

 

MMP7277 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  m-mos
 mmp7277.pdf

MMP7277 MMP7277

MMP7277Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -20VRDS(ON), Vgs@-1.5V, Ids@-0.2A = 350mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2.0A = 220mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A = 170mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A = 135mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT- 23 Interna

 9.1. Size:154K  m-mos
 mmp7245.pdf

MMP7277 MMP7277

MMP7245Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -20VRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2.0A = 130mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A = 100mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A = 70mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT- 23 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MO

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top