MMP9435 Todos los transistores

 

MMP9435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMP9435
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

MMP9435 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  m-mos
 mmp9435.pdf pdf_icon

MMP9435

MMP9435Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -30VRDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A = 60mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A = 90mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceImproved Shoot-Through FOMSOP-08 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaximum Ratings an

 0.1. Size:202K  m-mos
 mmp9435bdy.pdf pdf_icon

MMP9435

MMP9435BDYData SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V P- Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -30VRDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.7A = 42mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.4A = 70mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceImproved Shoot-Through FOMSOP-08 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaximum Rating

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: FQPF3N40 | 10N65KG-TF3-T | 11P50A | IPI08CNE8NG

 

 
Back to Top

 


 
.