MMP9435 - аналоги и даташиты транзистора

 

MMP9435 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MMP9435
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для MMP9435

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMP9435 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  m-mos
 mmp9435.pdf pdf_icon

MMP9435

MMP9435Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -30VRDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A = 60mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A = 90mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceImproved Shoot-Through FOMSOP-08 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaximum Ratings an

 0.1. Size:202K  m-mos
 mmp9435bdy.pdf pdf_icon

MMP9435

MMP9435BDYData SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V P- Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -30VRDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.7A = 42mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.4A = 70mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceImproved Shoot-Through FOMSOP-08 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaximum Rating

Другие MOSFET... MMP6465 , MMP65R190PTH , MMP6965 , MMP6967 , MMP6975 , MMP7245 , MMP7277 , MMP7401 , IRFP064N , MMP9435BDY , MMP9567 , MMQ60R070PTH , MMQ60R115PCTH , MMQ60R115PTH , MMQ60R190PTH , MMSF3P02HDR2 , MMSF7P03HDR2 .

History: MS65R190RF1 | TF2323

 

 
Back to Top

 


 
.