MMP9567 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MMP9567
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 7.49 nC
Tiempo de subida (tr): 3.56 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 104.6 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MMP9567
MMP9567 Datasheet (PDF)
mmp9567.pdf
MMP9567Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited40V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -40VRDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-6.0A = 50mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.0A = 80mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSO-8 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaximum Ratings and Thermal Characteristics (TA
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