MMP9567 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMP9567

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.56 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 104.6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: SO-8

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MMP9567 datasheet

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MMP9567

MMP9567 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 40V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -40V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-6.0A = 50m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.0A = 80m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SO-8 Internal Schematic Diagram Top View P-Channel MOSFET Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TA

Otros transistores... MMP6965, MMP6967, MMP6975, MMP7245, MMP7277, MMP7401, MMP9435, MMP9435BDY, IRF3205, MMQ60R070PTH, MMQ60R115PCTH, MMQ60R115PTH, MMQ60R190PTH, MMSF3P02HDR2, MMSF7P03HDR2, SM2A06NSU, SM3005NSF