MMP9567 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MMP9567
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.49 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 104.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MMP9567

MMP9567 Datasheet (PDF)

..1. Size:154K m-mos
mmp9567.pdf

MMP9567Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited40V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -40VRDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-6.0A = 50mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.0A = 80mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSO-8 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaximum Ratings and Thermal Characteristics (TA

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Liste

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