MMP9567. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMP9567

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.56 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 104.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для MMP9567

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMP9567 даташит

 ..1. Size:154K  m-mos
 mmp9567.pdf pdf_icon

MMP9567

MMP9567 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 40V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -40V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-6.0A = 50m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.0A = 80m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SO-8 Internal Schematic Diagram Top View P-Channel MOSFET Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TA

Другие IGBT... MMP6965, MMP6967, MMP6975, MMP7245, MMP7277, MMP7401, MMP9435, MMP9435BDY, IRF3205, MMQ60R070PTH, MMQ60R115PCTH, MMQ60R115PTH, MMQ60R190PTH, MMSF3P02HDR2, MMSF7P03HDR2, SM2A06NSU, SM3005NSF