SM8206ACT Todos los transistores

 

SM8206ACT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM8206ACT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.25 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1.5 V

Carga de compuerta (Qg): 9.3 nC

Tiempo de elevación (tr): 20 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 100 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.026 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSOT-23-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM8206ACT

 

SM8206ACT Datasheet (PDF)

1.1. sm8206act.pdf Size:275K _update_mosfet

SM8206ACT
SM8206ACT

SM8206ACT ® Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description G1 • 20V/6A, D1/D2 G2 RDS(ON)= 26mΩ(max.) @ VGS= 4V RDS(ON)= 36mΩ(max.) @ VGS= 2.5V S1 • Super High Dense Cell Design D1/D2 S2 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available Top View of TSOT-23-6 (RoHS Compliant) (2) (5) D2 D1 Applications • Power Management in Notebook C

3.1. sm8206ao.pdf Size:260K _update_mosfet

SM8206ACT
SM8206ACT

SM8206AO Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D 20V/6A, S2 S2 G2 RDS(ON)= 20m (typ.) @ VGS= 10V RDS(ON)= 23m (typ.) @ VGS= 4.5V D S1 RDS(ON)= 27m (typ.) @ VGS= 3.1V S1 G1 RDS(ON)= 30m (typ.) @ VGS= 2.5V RDS(ON)= 42m (typ.) @ VGS= 1.8V Top View of TSSOP-8 Reliable and Rugged (1) (8) ESD Protected D D Lead Free and Green Devices Available (RoH

 4.1. gsm8206.pdf Size:846K _update-mosfet

SM8206ACT
SM8206ACT

GSM8206 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8206, P-Channel enhancement mode  -20V/-4.5A,RDS(ON)=56mΩ@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to  -20V/-3.2A,RDS(ON)=70mΩ@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge.  -20V/-2.8A,RDS(ON)=96mΩ@VGS=-1.8V  Super high density cell design for extremely These devices a

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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