SM8206ACT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SM8206ACT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: TSOT-23-6

Аналог (замена) для SM8206ACT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM8206ACT даташит

 ..1. Size:275K  sino
 sm8206act.pdf pdf_icon

SM8206ACT

SM8206ACT Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description G1 20V/6A, D1/D2 G2 RDS(ON)= 26m (max.) @ VGS= 4V RDS(ON)= 36m (max.) @ VGS= 2.5V S1 Super High Dense Cell Design D1/D2 S2 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available Top View of TSOT-23-6 (RoHS Compliant) (2) (5) D2 D1 Applications Power Management in Notebook C

 7.1. Size:260K  sino
 sm8206ao.pdf pdf_icon

SM8206ACT

SM8206AO Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D 20V/6A, S2 S2 G2 RDS(ON)= 20m (typ.) @ VGS= 10V RDS(ON)= 23m (typ.) @ VGS= 4.5V D S1 RDS(ON)= 27m (typ.) @ VGS= 3.1V S1 G1 RDS(ON)= 30m (typ.) @ VGS= 2.5V RDS(ON)= 42m (typ.) @ VGS= 1.8V Top View of TSSOP-8 Reliable and Rugged (1) (8) ESD Protected D D Lead Free and Green Devices Available (RoH

 8.1. Size:846K  globaltech semi
 gsm8206.pdf pdf_icon

SM8206ACT

GSM8206 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8206, P-Channel enhancement mode -20V/-4.5A,RDS(ON)=56m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-3.2A,RDS(ON)=70m @VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.8A,RDS(ON)=96m @VGS=-1.8V Super high density cell design for extremely These devices a

 9.1. Size:235K  sino
 sm8205ao.pdf pdf_icon

SM8206ACT

SM8205AO Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D2 18V/6A, S2 S2 RDS(ON)= 23m (typ.) @ VGS= 4.5V G2 RDS(ON)= 34m (typ.) @ VGS= 2.5V D1 100% UIS Tested S1 S1 G1 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available Top View of TSSOP-8 (RoHS Compliant) (1) (8) D1 D2 Applications (4) (5) Power Management in Notebook Computer, G1 G2 Po

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SM7306ESKP, SM7501NSFH, SM7506NF, SM7506NFP, SM7575NSFH, SM7580NSFH, SM8007NSF, SM8008NSU, EMB04N03H, MPF6659, MPF6660, MPF6661, MPF930, MPF960, MPF990, VEC2315, VEC2616