MPF6659 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPF6659
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 35 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
Encapsulados: TO-92
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MPF6659 datasheet
Otros transistores... SM7501NSFH, SM7506NF, SM7506NFP, SM7575NSFH, SM7580NSFH, SM8007NSF, SM8008NSU, SM8206ACT, RU7088R, MPF6660, MPF6661, MPF930, MPF960, MPF990, VEC2315, VEC2616, VN0104N2
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Liste
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MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
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