MPF6659. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MPF6659

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для MPF6659

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPF6659 даташит

 ..1. Size:107K  njs
 mpf6659 mpf6660 mpf6661.pdf pdf_icon

MPF6659

Другие IGBT... SM7501NSFH, SM7506NF, SM7506NFP, SM7575NSFH, SM7580NSFH, SM8007NSF, SM8008NSU, SM8206ACT, RU7088R, MPF6660, MPF6661, MPF930, MPF960, MPF990, VEC2315, VEC2616, VN0104N2