MPF930 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MPF930
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 49 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MPF930

MPF930 Datasheet (PDF)

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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPF930/DTMOS SwitchingMPF930NChannel Enhancement3 DRAINMPF960MPF9902GATE1 SOURCEMAXIMUM RATINGSRating Symbol MPF930 MPF960 MPF990 UnitDrainSource Voltage VDS 35 60 90 VdcDrainGate Voltage VDG 35 60 90 Vdc 123GateSource Voltage Continuous VGS 20 VdcCASE 2905, STYLE 22

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