MPF930 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPF930

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 35 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 49 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO-92

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MPF930 datasheet

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MPF930

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MPF930/D TMOS Switching MPF930 N Channel Enhancement 3 DRAIN MPF960 MPF990 2 GATE 1 SOURCE MAXIMUM RATINGS Rating Symbol MPF930 MPF960 MPF990 Unit Drain Source Voltage VDS 35 60 90 Vdc Drain Gate Voltage VDG 35 60 90 Vdc 1 2 3 Gate Source Voltage Continuous VGS 20 Vdc CASE 29 05, STYLE 22

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MPF930

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