MPF930 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPF930
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 35 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 49 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de MPF930 MOSFET
MPF930 Datasheet (PDF)
mpf930 mpf960 mpf990.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPF930/DTMOS SwitchingMPF930NChannel Enhancement3 DRAINMPF960MPF9902GATE1 SOURCEMAXIMUM RATINGSRating Symbol MPF930 MPF960 MPF990 UnitDrainSource Voltage VDS 35 60 90 VdcDrainGate Voltage VDG 35 60 90 Vdc 123GateSource Voltage Continuous VGS 20 VdcCASE 2905, STYLE 22
Otros transistores... SM7575NSFH , SM7580NSFH , SM8007NSF , SM8008NSU , SM8206ACT , MPF6659 , MPF6660 , MPF6661 , AO3407 , MPF960 , MPF990 , VEC2315 , VEC2616 , VN0104N2 , VN0104N3 , VN0104N5 , VN0104N6 .
History: AM1440N | QM3001D | MTP2311N3 | HM8N20I
History: AM1440N | QM3001D | MTP2311N3 | HM8N20I
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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