MPF930 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MPF930
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO-92
MPF930 Datasheet (PDF)
mpf930 mpf960 mpf990.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPF930/DTMOS SwitchingMPF930NChannel Enhancement3 DRAINMPF960MPF9902GATE1 SOURCEMAXIMUM RATINGSRating Symbol MPF930 MPF960 MPF990 UnitDrainSource Voltage VDS 35 60 90 VdcDrainGate Voltage VDG 35 60 90 Vdc 123GateSource Voltage Continuous VGS 20 VdcCASE 2905, STYLE 22
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918