VN0106N5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VN0106N5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 10 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Encapsulados: TO-220
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VN0106N5 datasheet
vn0106.pdf
Supertex inc. VN0106 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven, silicon- Low power drive requirement gate manufacturing process. This combination produces a Ease of paralleling device with the power
vn0104.pdf
Supertex inc. VN0104 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven, silicon- Low power drive requirement gate manufacturing process. This combination produces a Ease of paralleling device with the power
Otros transistores... VN0104N3 , VN0104N5 , VN0104N6 , VN0104N7 , VN0104N9 , VN0104ND , VN0106N2 , VN0106N3 , IRFZ44 , VN0106N6 , VN0106N7 , VN0106N9 , VN0106ND , VN0109N2 , VN0109N3 , VN0109N5 , VN0109N9 .
History: LSD60R290HF | FTA07N60 | STD120N4F6 | LSD60R099HT | APM9946K | STB9NK50Z | IRLL2705PBF
History: LSD60R290HF | FTA07N60 | STD120N4F6 | LSD60R099HT | APM9946K | STB9NK50Z | IRLL2705PBF
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Liste
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MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
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