VN0340N1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VN0340N1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VN0340N1

VN0340N1 Datasheet (PDF)

..1. Size:33K supertex
vn0340n1 vn0340n5.pdf

VN0335VN0340N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETsOrdering InformationOrder Number / PackageBVDSS/RDS(ON) ID(ON)BVDGS (max) (min) TO-3 TO-39 TO-220 Dice350V 2.5 3A VN0335N1 VN0335N2 VN0335N5 VN0335ND400V 2.5 3A VN0340N1 VN0340N2 VN0340N5 VN0340ND MIL visual screening availableHigh Reliability DevicesAdvanced DMOS TechnologySee pages 5-4 and 5-5 for MI

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Liste

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