Справочник MOSFET. VN0340N1

 

VN0340N1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VN0340N1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VN0340N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:33K  supertex
 vn0340n1 vn0340n5.pdf pdf_icon

VN0340N1

VN0335VN0340N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETsOrdering InformationOrder Number / PackageBVDSS/RDS(ON) ID(ON)BVDGS (max) (min) TO-3 TO-39 TO-220 Dice350V 2.5 3A VN0335N1 VN0335N2 VN0335N5 VN0335ND400V 2.5 3A VN0340N1 VN0340N2 VN0340N5 VN0340ND MIL visual screening availableHigh Reliability DevicesAdvanced DMOS TechnologySee pages 5-4 and 5-5 for MI

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.