Справочник MOSFET. VN0340N1

 

VN0340N1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VN0340N1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-3
 

 Аналог (замена) для VN0340N1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VN0340N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:33K  supertex
 vn0340n1 vn0340n5.pdf pdf_icon

VN0340N1

VN0335VN0340N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETsOrdering InformationOrder Number / PackageBVDSS/RDS(ON) ID(ON)BVDGS (max) (min) TO-3 TO-39 TO-220 Dice350V 2.5 3A VN0335N1 VN0335N2 VN0335N5 VN0335ND400V 2.5 3A VN0340N1 VN0340N2 VN0340N5 VN0340ND MIL visual screening availableHigh Reliability DevicesAdvanced DMOS TechnologySee pages 5-4 and 5-5 for MI

Другие MOSFET... VN0109N5 , VN0109N9 , VN0109ND , VN0300 , VN0300L , VN0335N1 , VN0335N5 , VN0335ND , 2SK3878 , VN0340N5 , VN0360N1 , VN0360N5 , VN0360ND , VN0550 , VN0605T , VN0606 , VN0610LL .

History: FDS6875

 

 
Back to Top

 


 
.