VN0550 Todos los transistores

 

VN0550 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VN0550
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 60 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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VN0550 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:632K  supertex
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VN0550

Supertex inc. VN0550N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low power drive requirementsilicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a device with the power h

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History: 2SK1937-01

 

 
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