VN0550 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VN0550
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 60 Ohm
Encapsulados: TO-92
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VN0550 datasheet
vn0550.pdf
Supertex inc. VN0550 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven, Low power drive requirement silicon-gate manufacturing process. This combination Ease of paralleling produces a device with the power h
Otros transistores... VN0335N1 , VN0335N5 , VN0335ND , VN0340N1 , VN0340N5 , VN0360N1 , VN0360N5 , VN0360ND , AON7408 , VN0605T , VN0606 , VN0610LL , VN0660N3 , VN0660N5 , VN0808 , VN10K , VN10KCSM4 .
History: WSD3028DN
History: WSD3028DN
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