VN0550 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VN0550
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 60 Ohm
Тип корпуса: TO-92
Аналог (замена) для VN0550
VN0550 Datasheet (PDF)
vn0550.pdf

Supertex inc. VN0550N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low power drive requirementsilicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a device with the power h
Другие MOSFET... VN0335N1 , VN0335N5 , VN0335ND , VN0340N1 , VN0340N5 , VN0360N1 , VN0360N5 , VN0360ND , IRLZ44N , VN0605T , VN0606 , VN0610LL , VN0660N3 , VN0660N5 , VN0808 , VN10K , VN10KCSM4 .
History: IRF9410PBf | FDD850N10LD | FCD600N60Z | FDMC86340 | FDZ1323NZ | IRF9956PBF
History: IRF9410PBf | FDD850N10LD | FCD600N60Z | FDMC86340 | FDZ1323NZ | IRF9956PBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2320MI | AP2313MI | AP2312MI | AP2312AI | AP2311MI | AP2311AI | AP2307MI | AP2307AI | AP2305MI | AP2305BI | AP2305AI | AP2302CI | AP2301BI | AP2300MI | AP2300AI | AP15P06D
Popular searches
irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087