VN0550 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VN0550
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 60 Ohm
Тип корпуса: TO-92
VN0550 Datasheet (PDF)
vn0550.pdf
Supertex inc. VN0550N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low power drive requirementsilicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a device with the power h
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918