VN0660N5 Todos los transistores

 

VN0660N5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VN0660N5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 20 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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VN0660N5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:30K  supertex
 vn0660n3 vn0660n5.pdf pdf_icon

VN0660N5

VN0660N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETsOrdering InformationOrder Number / PackageBVDSS /RDS(ON) ID(ON)BVDGS (max) (min) TO-92 TO-220 Die600V 20 0.25A VN0660N3 VN0660N5 VN0660NDMIL visual screening available7Features Advanced DMOS TechnologyNot recommended for new designs. Please use VN2460 instead. Free from secondary breakdownThese enhancement-mode

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History: HFF640 | 2SK1680 | FS70KM-06 | PHB55N03LT | VN0360ND | SDT03N04 | FK14SM-12

 

 
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