VN0660N5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VN0660N5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 20 Ohm
Encapsulados: TO-220
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VN0660N5 datasheet
vn0660n3 vn0660n5.pdf
VN0660 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Ordering Information Order Number / Package BVDSS /RDS(ON) ID(ON) BVDGS (max) (min) TO-92 TO-220 Die 600V 20 0.25A VN0660N3 VN0660N5 VN0660ND MIL visual screening available 7 Features Advanced DMOS Technology Not recommended for new designs. Please use VN2460 instead. Free from secondary breakdown These enhancement-mode
Otros transistores... VN0360N1 , VN0360N5 , VN0360ND , VN0550 , VN0605T , VN0606 , VN0610LL , VN0660N3 , IRF4905 , VN0808 , VN10K , VN10KCSM4 , VN10K-TO18 , VN10LE , VN10LLS , VN10LM , VN1206 .
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